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晶体管
TK100E06N1,S1X参考图片

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TK100E06N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
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库存:3,136(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK100E06N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
参考库存:3478
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥245.3456
5:¥233.0512
10:¥226.904
25:¥208.5415
参考库存:2999
晶体管
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:30431
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:33586
晶体管
MOSFET 30V N-Chnl MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
2,500:¥2.599
参考库存:5259
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