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晶体管
CSD25481F4参考图片

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CSD25481F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm
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库存:19,863(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
913 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25481F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25481F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:4305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:5182
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4773
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:4641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:13326
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