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晶体管
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KSC2334Y

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7.9891
10
¥6.8139
68.139
100
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524.32
500
¥4.6217
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
7 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC2334
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
封装
Bulk
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1200
子类别
Transistors
零件号别名
KSC2334Y_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULQ2803A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:4262
STB18NF25
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:3563
IRFB61N15DPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:3564
FQA9N90C-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 900V N-Channel QFET
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
500:¥16.9839
参考库存:3240
MJD112T4
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:6912
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