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晶体管
2N6038G参考图片

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2N6038G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN
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库存:3,718(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.633
46.33
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3843
2384.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6038
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6038G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
参考库存:3530
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:9489
晶体管
MOSFET N-Ch, 30V-0.038ohms 17A
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
参考库存:6404
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:17985
晶体管
MOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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