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晶体管
IPP048N12N3 G参考图片

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IPP048N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:3,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.0468
32.0468
10
¥27.1991
271.991
100
¥23.5944
2359.44
250
¥22.3627
5590.675
500
¥20.0575
10028.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
137 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
162 S, 81 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
IPP048N12N3GXKSA1 IPP48N12N3GXK SP000652734
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP048N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:31757
晶体管
MOSFET LITELINK Programmable Driver
1,000:¥17.5941
2,000:¥16.8257
参考库存:31760
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
87:¥45.3356
174:¥40.8834
261:¥37.3465
522:¥34.0356
参考库存:31763
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4010
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:31768
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