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FS800R07A2E3_B31

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5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
800 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.5 kW
封装 / 箱体
HybirdPack2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FS800R07A2E3B31BOSA1 SP001064622
单位重量
308 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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