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晶体管
SIHB24N65E-E3参考图片

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SIHB24N65E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:37,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥37.9567
379.567
100
¥31.1993
3119.93
250
¥30.2727
7568.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB24N65E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,000:¥5.2658
2,000:¥5.2658
参考库存:21971
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.4975
3,000:¥4.7912
6,000:查看
参考库存:6029
晶体管
MOSFET -100V Single
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
4,000:¥1.6385
参考库存:20698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:3751
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.5314
10:¥5.4353
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:3097
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