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晶体管
SIHB24N65E-E3参考图片

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SIHB24N65E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥37.9567
379.567
100
¥31.1993
3119.93
250
¥30.2727
7568.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM40N60LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥1.9775
5,000:¥1.808
10,000:¥1.6498
25,000:¥1.6272
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STF18NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:2527
JANTX2N5154U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥936.5214
参考库存:36494
JANTXV2N5415S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
102:¥141.5438
250:¥129.0121
500:¥120.7179
参考库存:36497
JANS2N6988
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,286.4598
参考库存:36500
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