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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	220 Ohms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	47
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DRDPB26
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

优势价格，DRDPB26W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF7606TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8	1:¥4.6895 10:¥3.9324 100:¥2.5312 1,000:¥2.034 4,000:¥1.7176	参考库存:14258
2N4092	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW	1:¥66.6926 10:¥54.7146 100:¥45.4147 500:¥41.3354	参考库存:2603
FS50R06W1E3_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V	1:¥278.7032 5:¥275.7765 10:¥257.0298 25:¥245.5038	参考库存:2521
NST3946DXV6T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP	1:¥3.2318 10:¥2.0905 100:¥0.89948 1,000:¥0.69156 4,000:¥0.52206	参考库存:22268
FDY2000PZ	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET	1:¥2.9945 10:¥2.5086 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.00683	参考库存:9876