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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	220 Ohms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	47
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DRDPB26
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

优势价格，DRDPB26W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STD35NF06T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp	1:¥11.0627 10:¥9.4468 100:¥7.2885 500:¥6.441 2,500:¥4.5087 10,000:查看	参考库存:4720
IPP034N08N5AKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3	1:¥21.5943 10:¥18.3625 100:¥15.9104 250:¥15.0629	参考库存:4587
IPW65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER_NEW	1:¥61.246 10:¥55.4039 25:¥52.7936 100:¥45.878	参考库存:3935
STD20P3H6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package	暂无价格	参考库存:35878
IPB037N06N3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥11.526 10:¥9.831 100:¥7.8422 500:¥6.893 1,000:¥5.7178	参考库存:5708