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晶体管
FQD13N06TM参考图片

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FQD13N06TM

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库存:3,784(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0567
40.567
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.6272
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD13N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD13N06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥453.5142
5:¥439.7508
10:¥426.8462
25:¥400.1782
参考库存:3088
晶体管
MOSFET 1200V 45A Standard
1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
参考库存:3077
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥47.6408
10:¥42.488
25:¥38.2618
100:¥34.8831
参考库存:3265
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:33630
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9168
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