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晶体管
FQD13N06TM参考图片

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FQD13N06TM

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库存:3,784(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0567
40.567
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.6272
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD13N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD13N06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2841
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7444
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥627.2404
5:¥607.5784
10:¥589.1368
25:¥562.627
参考库存:2743
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2094
参考库存:2985
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:4173
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