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晶体管
CSD17507Q5A参考图片

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CSD17507Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
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库存:5,332(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5708
357.08
1,000
¥2.8589
2858.9
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
16.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17507Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17507Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥120.9439
5:¥116.1866
10:¥111.8022
25:¥102.7396
参考库存:16862
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
参考库存:143665
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:5667
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
4,800:¥6.8139
9,600:查看
参考库存:16869
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:16872
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