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晶体管

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APTGT100TL60T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:16,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥669.8188
669.8188
5
¥648.2245
3241.1225
10
¥627.941
6279.41
25
¥598.6627
14966.5675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT100TL60T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
1,000:¥4.6782
5,000:¥4.6782
参考库存:11732
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 100mA PNP General Purpose Tran
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.72207
1,000:¥0.5537
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:11745
晶体管
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm Automotive MOSFET
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
参考库存:1872
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:6608
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:2202
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