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晶体管

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APTGT100TL60T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:16,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥669.8188
669.8188
5
¥648.2245
3241.1225
10
¥627.941
6279.41
25
¥598.6627
14966.5675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT100TL60T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.3391
250:¥2.3391
1,000:¥1.8758
参考库存:34025
晶体管
MOSFET 20V P CH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.1978
250:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:6082
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥59.9352
10:¥53.9462
25:¥49.0985
100:¥44.3412
参考库存:3251
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.2262
10:¥3.6838
100:¥2.8928
500:¥2.1244
3,000:¥1.4577
6,000:查看
参考库存:112367
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥7.8422
10:¥6.4862
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8643
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