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晶体管
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DMN1004UFV-13

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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
3,000
¥1.3673
4101.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1517-20M
Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
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参考库存:40804
JANS2N2907AUBC
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暂无价格
参考库存:40807
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133:¥58.9408
250:¥54.1722
500:¥49.3358
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参考库存:40813
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1:¥63.7772
10:¥57.63
25:¥54.9406
100:¥47.7199
3,000:¥34.804
参考库存:8351
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