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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-346-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	90
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 800 mA
峰值直流集电极电流	800 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2427
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	90
发射极 - 基极电压 VEBO	- 6 V
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	12 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSVBC858CLT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP 30V	1:¥2.7685 10:¥1.7402 100:¥0.75258 1,000:¥0.5763 3,000:¥0.43844	参考库存:16260
IRFR7546TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet	1:¥6.8365 10:¥5.8986 100:¥4.5313 500:¥4.0002 1,000:¥3.1527 2,000:¥3.1527	参考库存:7280
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA	1:¥3.616 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.77631	参考库存:7846
DMP210DUFB4-7B	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W	1:¥2.0001 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.39211 10,000:¥0.26103 20,000:查看	参考库存:14095
NSVT30010MXV6T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED PNP GP XTT	1:¥3.6838 10:¥2.599 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 4,000:¥0.78422	参考库存:10737