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晶体管
IRFZ24NPBF参考图片

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IRFZ24NPBF

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库存:8,536(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.599
259.9
1,000
¥2.0792
2079.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001565128
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFZ24NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:8769
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 250W NPN
1:¥54.1722
10:¥48.9516
50:¥46.7142
100:¥40.567
参考库存:4514
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:22926
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:5268
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
1:¥2.8476
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43844
参考库存:127518
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