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晶体管
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IFN860

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
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数量单价合计
1
¥180.1898
180.1898
10
¥153.2167
1532.167
100
¥142.3122
14231.22
250
¥130.5489
32637.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 20 V
Vgs=0时的漏-源电流
10 mA
Id-连续漏极电流
100 uA
Pd-功率耗散
400 mW
系列
IFN860
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
25 mS
闸/源截止电压
- 3 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格,IFN860的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:2947
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:10085
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 50MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:15506
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:6507
晶体管
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:2899
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