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晶体管
R6015ENZC8参考图片

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R6015ENZC8

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:5,038(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
360
¥22.0576
7940.736
720
¥19.8202
14270.544
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
R6015ENZ
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,R6015ENZC8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:5101
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.10627
参考库存:7032
晶体管
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
3,000:¥6.8704
6,000:查看
参考库存:5871
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
1:¥13.2888
10:¥11.9893
100:¥9.6841
500:¥7.5032
参考库存:6479
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.7685
参考库存:12296
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