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DMP1012UFDF-13

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¥1.10627
11062.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.11 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，DMP1012UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥72.6929
参考库存:39464
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