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晶体管
2N6052参考图片

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2N6052

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
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库存:1,372(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥45.6407
456.407
25
¥41.5727
1039.3175
100
¥37.4934
3749.34
250
¥34.4198
8604.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6052
封装
Tube
高度
11.43 mm
长度
39.36 mm
工作温度范围
- 65 C to + 200 C
宽度
26.67 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N6052 PBFREE
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,2N6052的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:9972
晶体管
MOSFET PMPB20XPEA/SOT1220/SOT1220
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
参考库存:4319
晶体管
MOSFET T6 60V SO8FL
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:1707
晶体管
MOSFET PT8 40V LL N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
800:¥6.4184
参考库存:2768
晶体管
MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:2622
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