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晶体管
TPN2R503NC,L1Q参考图片

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TPN2R503NC,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W
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5,000
¥3.9889
19944.5
10,000
¥3.842
38420
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN2R503NC
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，TPN2R503NC,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA123JT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
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参考库存:12937
PDTA114YQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:9325
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500:¥6.8139
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IPP060N06N
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MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:4928
PDTA114YT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:12968
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