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产品分类

晶体管
SQ2309ES-T1_GE3参考图片

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SQ2309ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
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库存:58,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
268 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2309ES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.0792
100:¥0.99101
250:¥0.99101
1,000:¥0.76049
参考库存:3196
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.3787
100:¥2.2374
500:¥1.3221
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:10218
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:3881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:1986
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:17071
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