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晶体管
IKW40N60DTPXKSA1参考图片

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IKW40N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥35.2673
35.2673
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.6679
6166.975
500
¥22.1254
11062.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60DTP SP001379680
单位重量
6.064 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N60DTPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:4653
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:11382
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.7743
参考库存:4281
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:9871
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3620
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