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晶体管
IKW40N60DTPXKSA1参考图片

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IKW40N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥35.2673
35.2673
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.6679
6166.975
500
¥22.1254
11062.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60DTP SP001379680
单位重量
6.064 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N60DTPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-353
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:2127
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1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
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1:¥18.984
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:1976
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:3121
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥9.605
10:¥7.8422
100:¥6.5427
500:¥5.0511
参考库存:2924
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