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晶体管
SQD100N02-3M5L_GE3参考图片

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SQD100N02-3M5L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:6,177(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥6.8139
3406.95
2,000
¥5.0285
10057
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
186 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD100N02-3M5L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
参考库存:2958
晶体管
MOSFET 250V 6Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:14710
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:2828
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:4875
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9495
2,500:¥4.859
10,000:查看
参考库存:19626
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