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晶体管
IPI041N12N3 G参考图片

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IPI041N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：4,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPI041N12N3GAKSA1 IPI41N12N3GXK SP000652748
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI041N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMD2NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 30MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:7942
BC547BTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450
1:¥2.0001
10:¥1.3447
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:24770
BC33716TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:13039
DXT5551-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 160V
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥1.00683
10,000:¥0.9379
参考库存:10200
FQA6N90C-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:3357
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