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晶体管
IGW30N100T参考图片

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IGW30N100T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
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库存：3,858(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
500
¥26.5889
13294.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
412 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N100TFKSA1 IGW3N1TXK SP000380845
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGW30N100T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:9972
PMPB20XPEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB20XPEA/SOT1220/SOT1220
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
参考库存:4319
NVMFS5C645NLWFAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V SO8FL
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:1707
FDB9409L-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 40V LL N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
800:¥6.4184
参考库存:2768
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:2622
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