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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-GT50TP120N	Vishay Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT	24:¥545.7222 48:¥528.1168 72:¥521.0543 120:¥492.9286	参考库存:33061
DMP1022UFDEQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 12V P-CH MOSFET	3,000:¥2.0792	参考库存:33064
2N4869A	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio	115:¥57.3249 500:¥52.2512 1,000:¥45.4938	参考库存:33067
SIHF840LCS-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	1,000:¥6.0907 3,000:¥5.6726 5,000:¥5.4579 10,000:¥5.2432	参考库存:33070
PBRP123ET,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BISS RET	3,000:¥0.3842 9,000:¥0.32996 24,000:¥0.30736 45,000:¥0.29154 99,000:¥0.25312	参考库存:33073