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晶体管
STF28NM60ND参考图片

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STF28NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
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库存:4,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STF28NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
23.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF28NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:31193
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
5,000:¥6.3054
10,000:¥6.0568
参考库存:31196
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3,000:¥2.5877
9,000:¥2.486
24,000:¥2.4182
参考库存:31199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.69156
9,000:¥0.63054
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52206
参考库存:31202
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
50:¥273.2453
100:¥241.5036
250:¥226.1356
参考库存:31205
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