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晶体管
HFA3127BZ参考图片

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HFA3127BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
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库存:1,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
25
¥63.7772
1594.43
100
¥55.3248
5532.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
48
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:2280
晶体管
MOSFET BUK7K8R7-40E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,500:¥3.2318
9,000:查看
参考库存:1728
晶体管
MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:4962
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥13.221
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
3,000:¥5.65
参考库存:4703
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.825
参考库存:31907
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