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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

优势价格，TGF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PXFC192207FH-V3-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥823.8039	参考库存:32001
PTVA123501EC-V2-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥3,941.1236	参考库存:32004
STI13NM60N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK	1:¥13.6052 10:¥11.6051 100:¥9.2208 500:¥8.0682	参考库存:6680
SQJ840EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified	1:¥12.5995 10:¥10.3734 100:¥7.91 500:¥6.8591 1,000:¥5.4127 3,000:¥5.1641	参考库存:8682
PTVA101K02EV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥4,926.3706	参考库存:32011