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晶体管
DMN6140L-13参考图片

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DMN6140L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
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库存:86,749(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7628
17.628
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.58421
584.21
10,000
¥0.39211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN614
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.3 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN6140L-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:37649
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:13367
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:36307
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:3536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 300V 15W NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:38882
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