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晶体管
FDFMA2P029Z-F106参考图片

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FDFMA2P029Z-F106

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库存:31,199(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥2.5877
7763.1
9,000
¥2.486
22374
24,000
¥2.4182
58036.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
FDFMA2P029Z
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
- 11 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FDFMA2P029Z_F106
商品其它信息
优势价格,FDFMA2P029Z-F106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:2861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16545
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.9211
10:¥2.6555
100:¥1.7854
500:¥1.4351
3,000:¥1.4351
参考库存:31860
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16508
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥3.1527
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:19803
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