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晶体管

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RN1606(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
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库存:9,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1606
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
商标
Toshiba
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN1606(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual P-Ch -40V ENH Min RDSon -20VGss
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:5293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:8729
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
2,500:¥1.2882
参考库存:5248
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:6251
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:2788
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