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晶体管
IRGP4650D-EPBF参考图片

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IRGP4650D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
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数量单价合计
1
¥60.8618
60.8618
10
¥55.0197
550.197
25
¥52.4772
1311.93
100
¥45.5616
4556.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001535810
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4650D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:4535
晶体管
MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.21
250:¥18.2834
800:¥13.8312
2,400:查看
参考库存:4400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:6892
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:6030
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC
1:¥26.8149
10:¥22.826
100:¥19.7524
250:¥18.7467
4,000:¥12.9837
参考库存:6146
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