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晶体管
IRGP4650D-EPBF参考图片

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IRGP4650D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
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数量单价合计
1
¥60.8618
60.8618
10
¥55.0197
550.197
25
¥52.4772
1311.93
100
¥45.5616
4556.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001535810
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4650D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:130457
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:31246
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2160
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.5259
10:¥8.2942
100:¥6.78
500:¥5.311
1,000:¥4.2375
2,000:¥3.8646
参考库存:10453
晶体管
MOSFET 500V 1KOhm
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
参考库存:14809
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