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晶体管
IGW08T120参考图片

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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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库存:4,294(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW08T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0851
500:¥6.2602
1,000:¥4.9494
参考库存:2814
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
2,500:¥2.4408
参考库存:2454
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
参考库存:2723
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO247
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:1883
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
5,000:¥3.9098
参考库存:6917
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