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晶体管
IGW08T120参考图片

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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW08T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP 30V 4.7A 600mW 145MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:1161
晶体管
MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,000:¥2.0001
参考库存:1640
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥1.921
1,000:¥1.4803
2,000:¥1.2656
参考库存:10535
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4139
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:4240
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