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晶体管
IGW08T120参考图片

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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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库存:4,294(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW08T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
2,500:¥3.8759
参考库存:6030
晶体管
MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.526
100:¥9.0626
500:¥7.2094
2,500:¥5.1415
5,000:查看
参考库存:9876
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:12754
晶体管
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:5889
晶体管
MOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:4114
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