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晶体管
QPD1823参考图片

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QPD1823

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
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库存:27,724(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥623.3306
155832.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
-
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
-
输出功率
220 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Tray
应用
Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.4 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
零件号别名
1130969
商品其它信息
优势价格,QPD1823的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:201365
晶体管
MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
2,000:¥1.9662
参考库存:15211
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
参考库存:10589
晶体管
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:6317
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:7733
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