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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMV-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1506
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1506(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQD50P04-13L_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified	1:¥22.6678 10:¥18.8258 100:¥14.5996 500:¥12.7577 2,000:¥9.831 10,000:查看	参考库存:9743
AUIRFZ34N	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms	1:¥12.1362 10:¥10.3734 100:¥7.9891 500:¥7.0173 1,000:¥5.537	参考库存:4420
2N3764	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥193.5577 5:¥184.8793 10:¥179.1163 25:¥164.5958	参考库存:4412
C3M0065090J-TR	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm	1:¥79.2243 100:¥76.3767 500:¥72.6138 800:¥72.6138	参考库存:34965
TIP32CTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor	1:¥4.7686 10:¥3.9663 100:¥2.5538 1,000:¥2.0453	参考库存:9260