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晶体管
NTMS10P02R2G参考图片

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NTMS10P02R2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 10A P-Channel
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库存:6,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7913
3395.65
2,500
¥4.7573
11893.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
NTMS10P02
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
110 ns, 125 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns, 100 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns, 110 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,NTMS10P02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 3.1 MOHM TO220
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 10A 50V
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
参考库存:2468
晶体管
MOSFET 30V 90A 83W
1:¥11.9102
10:¥9.9101
100:¥7.684
500:¥6.7348
2,000:¥5.198
4,000:查看
参考库存:3552
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.6103
参考库存:4042
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:3435
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