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晶体管
SI2342DS-T1-GE3参考图片

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SI2342DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23
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库存:7,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2342DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:16723
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
参考库存:16726
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.3843
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:5529
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
1,000:¥26.8149
2,000:查看
参考库存:16731
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
5,000:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:7534
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