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晶体管
FGY75T120SQDN参考图片

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FGY75T120SQDN

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 75A UFS
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库存:2,067(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥76.0716
76.0716
10
¥68.93
689.3
25
¥62.8506
1571.265
100
¥54.6355
5463.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
790 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,FGY75T120SQDN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:4353
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4193
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:4431
晶体管
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.4579
10:¥4.407
100:¥3.3448
500:¥2.7685
3,000:¥2.0001
6,000:查看
参考库存:169808
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:11918
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