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晶体管
IPD122N10N3GATMA1参考图片

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IPD122N10N3GATMA1

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库存:7,818(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
2,500
¥3.7064
9266
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
12.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPD122N10N3 SP001127828
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,IPD122N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:7307
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.357
500:¥19.21
3,000:¥19.21
参考库存:15529
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥5.1076
10,000:¥4.9155
参考库存:15532
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1,500:¥4.4296
9,000:¥4.2601
参考库存:15535
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:3838
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