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晶体管
IPP111N15N3 G参考图片

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IPP111N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:2,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP111N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:8671
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A PNP medium power transistors
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.7684
参考库存:6505
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3732
100:¥4.9155
500:¥4.3392
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:5513
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:11451
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:8157
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