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STGB10NB37LZT4

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
1,000
¥10.0683
10068.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
440 V
栅极/发射极最大电压
16 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NB37LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，STGB10NB37LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM4NB60CI C0
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V N channl Mosfet
4,000:¥2.825
5,000:¥2.6329
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5312
参考库存:28465
STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:4135
D3S070N65F-U
D3
晶体管
MOSFET 70 mOhm 650V
1,000:¥16.6788
2,500:¥15.8313
5,000:¥15.2098
参考库存:28470
ZTX857
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:28473
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥665.2084
参考库存:28476
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