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晶体管
DMP56D0UV-7参考图片

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DMP56D0UV-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA
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¥3.4578
3.4578
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.12209
112.209
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
160 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
580 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP56
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.63 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.9 ns
典型接通延迟时间
4.46 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,DMP56D0UV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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IGBT 模块 600V/30A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46457
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1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
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3,000:¥0.25312
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9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
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1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:46469
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