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晶体管
APT29F100B2参考图片

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APT29F100B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存:1,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥151.8381
151.8381
10
¥138.0069
1380.069
25
¥127.6335
3190.8375
50
¥120.7179
6035.895
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.04 kW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
39 ns
商品其它信息
优势价格,APT29F100B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:11126
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:34295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:90512
晶体管
MOSFET SuperFET2 800V
1:¥62.8506
10:¥56.8616
25:¥54.1722
100:¥47.0306
参考库存:2188
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2421
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