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晶体管
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APT29F100B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存:1,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥151.8381
151.8381
10
¥138.0069
1380.069
25
¥127.6335
3190.8375
50
¥120.7179
6035.895
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.04 kW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
39 ns
商品其它信息
优势价格,APT29F100B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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