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晶体管
TK16J60W,S1VQ参考图片

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TK16J60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK16J60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK16J60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR3410TRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
FQPF13N50C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
TSM2312CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
IRFH7936TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
SI1467DH-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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