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晶体管
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FDPC5018SG

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库存:4,522(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8591
3429.55
3,000
¥5.2997
15899.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A, 109 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms, 2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 12 V
Qg-栅极电荷
17 nC, 62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W, 29 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDPC5018SG
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
93 S, 188 S
下降时间
2 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 38 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 14 ns
单位重量
207.730 mg
商品其它信息
优势价格,FDPC5018SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -50V 250mW
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:229184
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
参考库存:2331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.1735
5:¥184.4951
10:¥178.7321
25:¥164.2794
参考库存:2399
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
4,000:¥10.9836
参考库存:9987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥415.4784
5:¥392.9575
10:¥388.5053
25:¥359.3061
参考库存:2495
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