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晶体管
SIA921EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA921EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:5,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
3,000
¥2.4634
7390.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
48 mOhms, 48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
23 nC, 23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S, 11 S
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns, 20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 20 ns
零件号别名
SIA921EDJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA921EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4230
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,500:¥7.3337
4,500:查看
参考库存:6896
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:3305
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
4,000:¥1.6498
8,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
48,000:¥1.2882
参考库存:39937
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.3111
参考库存:1634
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