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晶体管
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR 135W H6327
Infineon Technologies
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
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TSM038N03PQ33 RGG
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10,000:¥1.7628
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2N3823
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1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:7256
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