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晶体管
STP3LN80K5参考图片

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STP3LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9269
69.269
100
¥5.3223
532.23
500
¥4.7008
2350.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.75 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
2.63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP3LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP3LN80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 600V/30A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46457
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:46460
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,155.9787
参考库存:46463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:46466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:46469
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