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晶体管
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MJE340G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 300V 20W NPN
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库存:7,409(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3448
33.448
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3447
3361.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE340
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
640 mg
商品其它信息
优势价格,MJE340G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22178
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥410.4047
5:¥401.3308
10:¥382.9683
25:¥366.911
参考库存:1658
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
参考库存:22183
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.6623
10:¥21.2892
100:¥17.515
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:22186
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
参考库存:22189
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