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晶体管
RN4985,LF(CT参考图片

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RN4985,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200mW TRANSISTOR
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库存:7,182(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.0468
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
最大工作频率
250 MHz, 200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN4985
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
商标
Toshiba
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN4985,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 50V 100MA EMD3
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:9737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:10195
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4555
晶体管
MOSFET Pch -12V -3A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
1,000:¥6.215
参考库存:3189
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